在各种应用上，运用线路修补及布局验证等此类作业经济效益最高，且部分线路修正能够省去重作光罩及初度试作等研制本钱，此种运作形式在削减研制至量产之时程上是肯定有作用的，也节省了不少研制费用。封装好的芯片在通过测验之后需求把两条线衔接起来做功用测验，此刻可运用聚集离子束体系将器材上层的钝化层翻开，显露需求衔接的两个金属导线，运用离子束堆积Pt资料，从而将两条导线衔接在一起，由此可快速缩短芯片的开发时刻。这也是芯片解密常用到办法。

  运用聚集离子束进行线路修正，（A）、（B）将欲衔接线路上的钝化层翻开，（C） 堆积Pt资料将两个线路衔接起来。

  可想而知，聚集离子束好像一把顶端仅有几十纳米巨细的手术刀。离子束对靶材标明产生的二次电子成像有纳米级其他显微分辩才干，因而聚集离子束体系等效为可在高倍显微镜上运转的微加工台，它可用于溅射剥离资料或堆积资料的任一部分。图1是运用聚集离子束体系篆刻的数字；图2则是在一个纳米带上加工的阵列孔；图3是为加工的横向存储器单元阵列。

  在微电子，半导体及各型功用器材等方面，因其触及的进程较多而杂乱。一个器材在开发测验进程中总有必定的概率会碰到实践成果违背规划目标、器材测验之后产生毛病、逻辑功用不正常等问题，关于以上问题的直观牢靠的剖析便是制备相应的器材剖面，从物理层次直观的表征构成器材反常的原因。

  用电子束或许离子束分化金属有机气体化合物，使资料能够堆积到试样特定部位。该体系能够堆积的物质为:SiO2、Pt、W。堆积的图形有点阵，直线等，运用体系堆积金属资料的功用，可对器材电路进行必定的修正，更改电路功用。

  透射电镜和扫描透射电镜样品都需求制备十分薄的样品，这样电子才干穿透样品，构成电子衍射图画。惯例TEM样品制备办法主要以机械切片研磨为主，选用此法仅能对大范围样品进行解析。选用聚集离子束则能够对样品的某一部分切片进行调查。与切开横截面的办法相同，制造TEM样品是运用聚集离子束从前后两个方向加工，最终在中心留下一个薄的区域作为TEM调查的样品。下图所示为TEM制样的工艺进程。

  微操作仪（Kleindiek Nanotechnik MM3A）具有纳米级的步进精度,X轴和Y轴的滚动量为120度，于水平进退（X轴）、水平滚动（Y轴）以及笔直滚动（Z轴）方向，的位移精度分别为2、2.5、0.2nm。MM3A微操作仪最重要的包含压电马达，针尖组件，操控单元以及外围支架。压电马达包含定子，滑块。压电马达由伸长量为1um的压电陶瓷完成高精度位移，马达驱动电压为-80v~+80v，驱动形式分为精调形式和粗调形式各三档，选用一个12位数模转换器，将X、Y和Z方向的步进分红4096步，以此来完成纳米级的准确位移。本体系最多可独立加载三路电压。

  阐明一下：在此，探针仍是一种经常被运用来进行芯片解密的东西。关于杂乱探针组怎样用于芯片解密是一个技术问题。点到即止。